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G20160Y1TBC1SE3

更新时间: 2024-11-09 07:22:47
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
1页 25K
描述
Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon,

G20160Y1TBC1SE3 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84

G20160Y1TBC1SE3 数据手册

  

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