5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.91 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 元件数量： | 4 | 相数： | 1 |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| G20100N1EB1SE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| G20100N1EBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| G20100N1EBC1SE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| G20100N1EC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| G20100N1EC1SE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| G20100N1EN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| G20100N1EN1SE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| G20100N1FB1SE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| G20100N1FBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| G20100N1FBC1SE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
