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G1B-E3/54

更新时间： 2024-01-03 15:15:34

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威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
6页	343K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-204AP, HERMETIC SEALED, GLASS, G-1, 2 PIN

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G1B-E3/54 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-204
包装说明：	E-LALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.6
其他特性：	METALLURGICALLY BONDED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-204AP
JESD-30 代码：	E-LALF-W2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ELLIPTICAL	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	1.5 µs	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

G1B-E3/54 数据手册

G1A / B / D / G / J / K / M

VISHAY

Vishay Semiconductors

T_J= 150°C

T_J= 25°C

0.1

Pulse Width = 300µs

1% Duty Cycle

0.01

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

gg1a_03

Instantaneous Forward Voltage (V)

Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics

T_J= 125°C

T_J= 75°C

0.1

T_J= 25°C

0.01

100

Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)

gg1a_04

Figure 4. Typical Reverse Characteristics

T_J= 25°C

f = 1.0MH_Z

Vsig = 50mVp-p

100

Reverse Voltage (V)

gg1a_05

Figure 5. Typical Junction Capacitance

Document Number 86084

Rev. 1.3, 11-Aug-04

www.vishay.com

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