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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| G-530.1OHM1% | VISHAY |
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RESISTOR, WIRE WOUND, 4 W, 1 %, 20 ppm, 30.1 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED |
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| G-5301OHM1% | VISHAY |
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RESISTOR, WIRE WOUND, 4 W, 1 %, 20 ppm, 301 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED |
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| G5302 | GMT |
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650mA Miniature, Adjustable, Step-Down DC-DC Converter for RF Power Amplifiers |
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| G5309 | GMT |
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High Efficiency 10A Synchronous Buck Converter |
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| G5310 | GMT |
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High Efficiency 10A Synchronous Buck Converter |
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| G53100B1EB1 | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| G53100Z1EB1 | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
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| G5312 | GMT |
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High Efficiency 8A Synchronous Buck Converter |
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| G53120B1EB1 | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| G53120Z1EB1 | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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