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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8533.21.00.80 | 风险等级： | 5.68 |
| 其他特性： | PRECISION | 安装特点： | THROUGH HOLE MOUNT |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 250 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装形状： | TUBULAR PACKAGE |
| 额定功率耗散 (P)： | 4 W | 额定温度： | 25 °C |
| 参考标准： | MIL-PRF-26 | 电阻： | 30.1 Ω |
| 电阻器类型： | FIXED RESISTOR | 子类别： | Fixed Resistors |
| 表面贴装： | NO | 技术： | WIRE WOUND |
| 温度系数： | 20 ppm/ °C | 端子形状： | WIRE |
| 容差： | 1% | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| G-5301OHM1% | VISHAY |
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RESISTOR, WIRE WOUND, 4 W, 1 %, 20 ppm, 301 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED |
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| G5302 | GMT |
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650mA Miniature, Adjustable, Step-Down DC-DC Converter for RF Power Amplifiers |
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| G5309 | GMT |
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High Efficiency 10A Synchronous Buck Converter |
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| G5310 | GMT |
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High Efficiency 10A Synchronous Buck Converter |
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| G53100B1EB1 | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| G53100Z1EB1 | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
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| G5312 | GMT |
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High Efficiency 8A Synchronous Buck Converter |
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| G53120B1EB1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
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| G53120Z1EB1 | MICROSEMI |
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Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
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| G5313 | GMT |
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High Efficiency 6A Synchronous Buck Converter |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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