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FZT857_03

更新时间： 2022-04-23 23:00:11

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捷特科 - ZETEX		晶体晶体管局域网
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3页	38K
描述
SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE)TRANSISTOR

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FZT857_03 数据手册

FZT857

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated)

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN. TYP.

MAX. UNIT CONDITIONS .

Co lle cto r-Ba s e Bre a kd o w n

Vo lta g e

V_(BR)CBO

V_(BR)CER

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

350

300

475

350

I_C=100µA

Co lle cto r-Em itte r

Bre a kd o w n Vo lta g e

I_C=1µA, RB ≤1kΩ

I_C=10m A*

Co lle cto r-Em itte r

Bre a kd o w n Vo lta g e

Em itte r-Ba s e Bre a kd o w n

Vo lta g e

I_E=100µA

Co lle cto r Cu t-Off Cu rre n t

Em itte r Cu t-Off Cu rre n t

n A

µA

V_CB=300V

V_CB=300V,

_{a m b}=100°C

I_CER

R ≤1kΩ

n A

µA

_CB=300V

_CB=300V,

_{a m b}=100°C

I_EBO

n A

V_EB=6V

Co lle cto r-Em itte r

S a tu ra tio n Vo lta g e

V_{CE(s a t)}

100

155

230

345

m V

I_C=500m A, I_B=50m A*

I_C=1A, I_B=100m A*

I_C=2A, I_B=200m A*

I_C=3.5A, I_B=600m A*

Ba s e -Em itte r

S a tu ra tio n Vo lta g e

V_{BE(s a t)}

V_{BE(o n )}

h _FE

1250

1.12

m V

I_C=3.5A, I_B=600m A*

I_C=3.5A, V_CE=10V*

Ba s e -Em itte r

Tu rn -On Vo lta g e

S ta tic Fo rw a rd

Cu rre n t Tra n s fe r

Ra tio

100

200

I_C=10m A, V_CE=5V

I_C=500m A, V_CE=10V*

I_C=2A, V_CE=10V*

I_C=3A, V_CE=10V*

300

Tra n s itio n Fre q u e n cy

f_T

MHz

p F

I_C==100m A, V_CE=10V

f=50MHz

Ou tp u t Ca p a cita n ce

S w itch in g Tim e s

C_{o b o}

V_CB=20V, f=1MHz

t_{o n}

t_{o ff}

100

5300

n s

I_C=250m A, I_B1=25m A

I_B2=25m A, V_CC=50V

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

Spice param eter data is available upon request for this device

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