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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.88 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 4 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FX1KM3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 1A I(D) | SOT-186 |
|
| FX1KMH3 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 1A I(D) | SOT-186 |
|
| FX1KMJ3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 1A I(D) | SOT-186 |
|
| FX1KMJ-3 | POWEREX |
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Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| FX1KMJ-3 | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 150V, 2.88ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| FX1N | MITSUBISHI |
获取价格 |
FX1S |
|
| FX1N6074 | SEMTECH |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1.8A, 100V V(RRM), |
|
| FX1N6075 | SEMTECH |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 1.8A, 150V V(RRM), |
|
| FX1N6079 | SEMTECH |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 5A, 50V V(RRM), |
|
| FX1N6081 | SEMTECH |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 2.1A, 150V V(RRM), |
|
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