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FX1KMJ-3 PDF预览

FX1KMJ-3

更新时间： 2024-11-20 14:50:23
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 49K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 150V, 2.88ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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FX1KMJ-3 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1 A
最大漏极电流 (ID)：1 A最大漏源导通电阻：2.88 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：15 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：4 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FX1KMJ-3 数据手册

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MITSUBISHI Pch POWER MOSFET  
FX1KMJ-3  
HIGH-SPEED SWITCHING USE  
FX1KMJ-3  
OUTLINE DRAWING  
Dimensions in mm  
10 ± 0.3  
2.8 ± 0.2  
φ 3.2 ± 0.2  
1.1 ± 0.2  
1.1 ± 0.2  
E
0.75 ± 0.15  
2.54 ± 0.25  
0.75 ± 0.15  
2.54 ± 0.25  
1
2
3
3
4V DRIVE  
•
VDSS ............................................................. –150V  
•
1
2
3
GATE  
DRAIN  
SOURCE  
1
rDS (ON) (MAX) .................................................. 2.6Ω  
ID ...................................................................... –1A  
•
•
Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) ...........70ns  
•
2
Viso ................................................................................ 2000V  
•
TO-220FN  
APPLICATION  
Motor control, Lamp control, Solenoid control  
DC-DC converter, etc.  
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Drain current  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
VGS = 0V  
VDS = 0V  
–150  
±20  
V
–1  
A
Drain current (Pulsed)  
Avalanche drain current (Pulsed)  
Source current  
IDM  
IDA  
–4  
A
L = 100µH  
–1  
–1  
A
IS  
A
Source current (Pulsed)  
Maximum power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
Isolation voltage  
ISM  
–4  
A
PD  
15  
W
°C  
°C  
V
Tch  
–55 ~ +150  
–55 ~ +150  
2000  
Tstg  
Viso  
—
AC for 1minute, Terminal to case  
Typical value  
Weight  
2.0  
g
Jan.1999  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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