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FST19330D

更新时间: 2024-11-29 20:37:51
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 147K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 150A, 30V V(RRM), Silicon,

FST19330D 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-XSFM-T9
针数:9Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.91其他特性:REVERSE ENERGY TESTED
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:ISOLATED
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.4 V
JESD-30 代码:R-XSFM-T9最大非重复峰值正向电流:1500 A
元件数量:2相数:1
端子数量:9最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:150 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:30 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

FST19330D 数据手册

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