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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> FST19050D
FST19050D PDF预览

FST19050D

更新时间： 2024-11-29 12:59:03
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 117K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100A, 50V V(RRM), Silicon, TO-249,

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FST19050D 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-249
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.57其他特性：REVERSE ENERGY TESTED
应用：POWER外壳连接：ISOLATED
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.7 V
JEDEC-95代码：TO-249JESD-30 代码：R-XSFM-D3
最大非重复峰值正向电流：1500 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：100 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：50 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：SOLDER LUG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

FST19050D 数据手册

 浏览型号FST19050D的Datasheet PDF文件第2页 
Low Vf Schottky Powermod  
FST19035 - FST19050  
N 4 Places  
Millimeters  
A
Dim. Inches  
Max. Min.  
Min.  
Max. Notes  
50.93  
8.26  
1 2 3  
Common Cathode  
50.67  
A 1.995  
B 0.300  
C 0.495  
D 0.182  
E 0.990  
F 2.390  
2.005  
0.325  
0.505  
0.192  
1.010  
2.410  
C
E
7.62  
1
2
3
12.83  
4.88  
12.57  
4.62  
B
Dia.  
25.15  
25.65  
60.71  
61.21  
K
Q
L
1 2 3  
A=Common Anode  
G
1.500  
1.525  
0.130  
0.400  
38.10  
3.05  
---  
38.70  
3.30  
R
D
H 0.120  
---  
J
K 0.240  
L
M 0.330  
N 0.175  
P 0.035  
Q
R
10.16  
6.60  
12.95  
6.90  
4.95  
F
G
P
6.10  
12.45  
8.38  
4.45  
to Lead C  
0.260  
0.510  
0.350  
0.195  
0.045  
0.455  
0.910  
L
H
0.490  
J
Dia.  
1 2 3  
D=Doubler  
M
0.89  
11.30  
22.61  
1.14  
11.56  
23.11  
0.445  
0.890  
Notes:  
Baseplate: Nickel plated copper;  
electrically isolated  
TO-249  
Pins: Nickel plated copper  
Guard Ring Protection  
Microsemi  
Catalog  
Number  
Working Peak  
Peak Reverse  
Voltage  
Repetitive Peak  
Peak Reverse  
Voltage  
Electrically Isolated Base  
Schottky Barrier Rectifier  
Low Forward Voltage  
FST19035*  
FST19040*  
FST19045*  
FST19050*  
35V  
40V  
45V  
50V  
35V  
40V  
45V  
50V  
Reverse Energy Tested  
V
RRM 35 to 50 Volts  
ROHS Compliant  
*Add the Suffix A for Common Anode, D for Doubler  
Electrical Characteristics  
R
I
I
I
V
V
I
T = 136°C, Square wave, 0JC = 0.35°C/W  
200 Amps  
100 Amps  
1500 Amps  
F(AV)  
F(AV)  
FSM  
FM  
FM  
per pkg.  
per leg  
per leg  
Average Forward Current  
C
R
T = 136°C, Square wave, 0JC = 0.7°C/W  
C
Average Forward Current  
Maximum Surge Current  
Max. Peak Forward Voltage  
8.3ms, half sine,T = 175°C  
J
I
I
V
T
T
per leg  
.55 Volts  
.70 Volts  
RM 100 mA  
*
FM = 100A: J = 175°C  
*
FM = 100A, J = 25°C  
Max. Peak Forward Voltageper leg  
Max. Peak Reverse Current per leg  
Max. Peak Reverse Current per leg  
Typical Junction Capacitance per leg  
T
*
RRM, J = 125°C  
I
T
V
V
4 mA  
RM  
RRM, J = 25°C  
T
R = 5.0V, J = 25°C  
C 4800 pF  
J
*Pulse test: Pulse width 300µsec, Duty cycle 2%  
Thermal and Mechanical Characteristics  
T
T
Storage temp range  
Operating junction temp range  
STG  
J
-55°C to 175°C  
-55°C to 175°C  
R
R
R
0.7°C/W  
0.35°C/W  
0.1°C/W  
OJC  
Junction to case  
Max thermal resistanceper leg  
Max thermal resistance per pkg.  
Typical thermal resistance (greased)  
Mounting Torque  
O
JC  
JC  
Case to sink  
O
15-20 inch pounds  
Weight  
2.3 ounces (58.5 grams) typical  
www.microsemi.com  
January, 2010 - Rev. 3  
12

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