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FSS101

更新时间： 2024-11-22 22:32:11
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO /
页数 文件大小 规格书
4页 118K
描述
Load S/W Applications

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FSS101 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SOP-8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.82配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：0.058 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FSS101 数据手册

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Ordering number:ENN5984A  
P-Channel Silicon MOSFET  
FSS101  
Load S/W Applications  
Features  
Package Dimensions  
unit:mm  
· Low ON resistance.  
· Ultrahigh-speed switching.  
· 2.5V drive.  
2116  
[FSS101]  
8
5
1 : Source  
2 : Source  
3 : Source  
4 : Gate  
1
4
0.2  
5.0  
5 : Drain  
6 : Drain  
7 : Drain  
8 : Drain  
1.27  
0.595  
0.43  
Specifications  
SANYO : SOP8  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
–20  
±10  
–5  
V
V
DSS  
Gate-to-Source Voltage  
Drain Current (DC)  
V
GSS  
I
A
D
Drain Current (pulse)  
Allowable Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
I
PW≤10µs, duty cycle≤1%  
Mounted on a ceramic board (1200mm2×0.8mm)  
–32  
1.8  
A
DP  
P
D
Tch  
W
˚C  
˚C  
150  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
–20  
max  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Zero-Gate Voltage Drain Current  
Gate-to-Source Leakage Current  
Cutoff Voltage  
V
I
=–1mA, V =0  
D GS  
V
µA  
µA  
V
(BR)DSS  
I
V
V
V
V
I
=–20V, V =0  
–10  
DSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
GS  
I
=±8V, V =0  
DS  
±10  
GSS  
V
=–10V, I =–1mA  
D
–0.4  
10  
–1.4  
GS(off)  
| yfs |  
Forward Transfer Admittance  
=–10V, I =–5A  
D
16  
S
R
1
=–5A, V =–4V  
GS  
44  
65  
58  
98  
mΩ  
mΩ  
pF  
pF  
pF  
DS(on)  
D
Static Drain-to-Source On-State Resistance  
R
2
I
=–2A, V =–2.5V  
D GS  
DS(on)  
Ciss  
Input Capacitance  
V
V
V
=–10V, f=1MHz  
980  
500  
210  
DS  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Marking : S101  
Coss  
Crss  
=–10V, f=1MHz  
DS  
=–10V, f=1MHz  
DS  
Continued on next page.  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
31000TS (KOTO) TA-2319 No.5984-1/4  
1234

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