是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BCY | 包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.79 |
Is Samacsys: | N | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 12 A |
最大漏极电流 (ID): | 12 A | 最大漏源导通电阻: | 0.075 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-205AF |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 10 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 48 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FSPL130F4 | RENESAS |
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FSPL130F4 | |
FSPL130F4 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FSPL130R3 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-205AF | |
FSPL130R4 | RENESAS |
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FSPL130R4 | |
FSPL134D1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FSPL134F3 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-205AF | |
FSPL134F4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-205AF | |
FSPL134R3 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FSPL134R4 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FSPL230D1 | INTERSIL |
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Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs |