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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 900 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 2.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 15 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FS5KM2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-186 |
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| FS5KM-2 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.47ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| FS5KM-2 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.47ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| FS5KM3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-186 |
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| FS5KM-3 | POWEREX |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 150V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| FS5KM5 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-186 |
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| FS5KM-5 | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FS5KM-5 | POWEREX |
获取价格 |
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
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| FS5KM-5 | RENESAS |
获取价格 |
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET |
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| FS5KM6 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 5A I(D) | SOT-186 |
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