FS5AS-3-T13

更新时间： 2024-11-14 07:00:11

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数	文件大小	规格书
7页	202K
描述
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FS5AS-3-T13 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	MP-3A, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.34
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	0.38 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FS5AS-3-T13 数据手册

FS5AS-3

High-Speed Switching Use

Nch Power MOS FET

REJ03G0245-0100

Rev.1.00

Aug.20.2004

Features

•

Drive voltage : 10 V

_DSS: 150 V

_{DS(ON) (max)}: 0.38 Ω

I_D: 5 A

Recovery Time of the Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 85 ns

Outline

MP-3A

2, 4

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

Applications

Motor control, lamp control, solenoid control, DC-DC converters, etc.

Maximum Ratings

(Tc = 25°C)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

Unit

Conditions

150

V_GS= 0 V

±20

V_DS= 0 V

Drain current (Pulsed)

Avalanche current (Pulsed)

Source current

I_DM

I_DA

L = 100 µH

I_S

Source current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Mass

I_SM

P_D

°C

Tch

Tstg

—

– 55 to +150

0.32

Typical value

Rev.1.00, Aug.20.2004, page 1 of 6

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与FS5AS-3-T13相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FS5ASH06	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-252
FS5ASH-06	RENESAS	获取价格	MITSUBISHI Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS5ASH-06	POWEREX	获取价格	Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS5ASH-06	MITSUBISHI	获取价格	HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS5ASH-06-T1	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FS5ASH-06-T2	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
FS5ASH2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-252
FS5ASH-2	POWEREX	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FS5ASH-2	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FS5ASH-2-T1	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.47ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta