5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FS50KM-3
FS50KM-3 PDF预览

FS50KM-3

更新时间： 2024-09-26 07:00:11
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 173K
描述
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

FS50KM-3 技术参数

生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.34Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.031 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FS50KM-3 数据手册

 浏览型号FS50KM-3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FS50KM-3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FS50KM-3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FS50KM-3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FS50KM-3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FS50KM-3的Datasheet PDF文件第7页 
FS50KM-3  
High-Speed Switching Use  
Nch Power MOS FET  
REJ03G1419-0200  
(Previous: MEJ02G0117-0101)  
Rev.2.00  
Aug 07, 2006  
Features  
•
•
•
•
•
•
Drive voltage : 10 V  
DSS : 150 V  
DS(ON) (max) : 31 mΩ  
V
r
ID : 50 A  
Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 130 ns  
Viso : 2000 V  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0003AB-A  
(Package name: TO-220FN)  
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
1
3
Applications  
Motor control, Lamp contrDC-DC converters, etc.  
Maximum Ratings  
(Tc = 25°C)  
Parameter  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Drain current  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Ratings  
Unit  
Conditions  
VGS = 0 V  
150  
V
V
±20  
VDS = 0 V  
50  
A
Drain current (Pulsed)  
Avalanche drain current (Pulsed)  
Source current  
IDM  
200  
A
IDA  
50  
50  
A
L = 100 µH  
IS  
A
Source current (Pulsed)  
Maximum power dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
Isolation voltage  
ISM  
200  
A
PD  
35  
W
°C  
°C  
V
Tch  
Tstg  
Viso  
– 55 to +150  
– 55 to +150  
2000  
AC for 1 minute,  
Terminal to case  
Mass  
—
2.0  
g
Typical value  
Rev.2.00 Aug 07, 2006 page 1 of 6  
1234567

中文翻译

下载PDF

与FS50KM-3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FS50KM-3-A8 RENESAS

获取价格

 		High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET
FS50KMH03 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 50A I(D) | SOT-186
FS50KMH-03 MITSUBISHI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS50KMH06 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | SOT-186
FS50KMH-06 POWEREX

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS50KMH-06 MITSUBISHI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS50KMH2 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 50A I(D) | SOT-186
FS50KMH-2 MITSUBISHI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FS50KMH3 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 50A I(D) | SOT-186
FS50KMH-3 MITSUBISHI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 150V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与FS50KM-3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证