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FS28MR12W1M1H_B11

更新时间： 2024-04-09 19:01:42

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FS28MR12W1M1H_B11 数据手册

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FS28MR12W1M1H_B11

™

EasyPACK module

2 MOSFET

Table 5

Characteristic values

Symbol Note or test condition

Parameter

Values

Typ.

Unit

Min.

Max.

Drain-source on-resistance R_DS(on)I_D= 30 A

V_GS= 18 V,

T_vj= 25 °C

26.4

mΩ

V_GS= 18 V,

T_vj= 125 °C

42.8

56.8

31.8

4.3

V_GS= 18 V,

T_vj= 175 °C

V_GS= 15 V,

T_vj= 25 °C

Gate threshold voltage

V_GS(th)I_D= 12 mA, V_DS= V_GS, T_vj= 25 °C, (tested afeꢀ 3.45

5.15

1ms pulse at V_GS= +20 V)

Total gate charge

Internal gate resistor

Input capacitance

Q_G

R_Gint

C_ISS

V_DD= 800 V, V_GS= -3/18 V

T_vj= 25 °C

0.09

3.8

µC

Ω

f = 100 kHz, V_DS= 800 V, T_vj= 25 °C

V_GS= 0 V

2.7

Output capacitance

C_OSS

C_rss

f = 100 kHz, V_DS= 800 V, T_vj= 25 °C

V_GS= 0 V

0.128

0.009

Reverse transfer

capacitance

f = 100 kHz, V_DS= 800 V, T_vj= 25 °C

V_GS= 0 V

C_OSSstored energy

E_OSS

I_DSS

V_DS= 800 V, V_GS= -3/18 V, T_vj= 25 °C

52.4

0.02

µJ

µA

Drain-source leakage

current

V_DS= 1200 V, V_GS= -3 V

T_vj= 25 °C

208

400

Gate-source leakage

current

I_GSS

V_DS= 0 V, T_vj= 25 °C

V_GS= 20 V

Turn-on delay time

(inductive load)

t_{d on}

I_D= 30 A, R_Gon= 6.2 Ω,

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

T_vj= 175 °C

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

T_vj= 175 °C

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

T_vj= 175 °C

T_vj= 25 °C

T_vj= 125 °C

T_vj= 175 °C

V_DD= 600 V, V_GS= -3/18 V

Rise time (inductive load)

t_r

t_{d oﬀ}

t_f

I_D= 30 A, R_Gon= 6.2 Ω,

V_DD= 600 V, V_GS= -3/18 V

Tuꢀn-oﬀ delay time

(inductive load)

I_D= 30 A, R_Goﬀ= 5.1 Ω,

V_DD= 600 V, V_GS= -3/18 V

Fall time (inductive load)

I_D= 30 A, R_Goﬀ= 5.1 Ω,

V_DD= 600 V, V_GS= -3/18 V

(table continues...)

Datasheet

Revision 0.20

2023-02-28

1 2 345 6 7...16

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