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FS2AS-3-T2 PDF预览

FS2AS-3-T2

更新时间： 2024-02-14 08:46:49

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	176K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MP3, 4 PIN

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FS2AS-3-T2 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	0.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FS2AS-3-T2 数据手册

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与FS2AS-3-T2相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FS2ASH3	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-252	获取价格
FS2ASH-3-T1	MITSUBISHI	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 150V, 0.79ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
FS2ASH-3-T2	MITSUBISHI	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 150V, 0.79ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
FS2ASJ3	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-252	获取价格
FS2ASJ-3	MITSUBISHI	HIGH-SPEED SWITCHING USE	获取价格
FS2ASJ-3	POWEREX	Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE	获取价格

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