FS2AS-3

更新时间： 2024-02-07 17:15:23

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POWEREX		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲
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4页	45K
描述
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE

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FS2AS-3 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.92	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	0.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	20 W	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FS2AS-3 数据手册

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

FS2AS-3

HIGH-SPEED SWITCHING USE

FS2AS-3

OUTLINE DRAWING

Dimensions in mm

6.5

0.5 ± 0.1

5.0 ± 0.2

1.0

0.9MAX.

0.5 ± 0.2

2.3 2.3

0.8

w r

q GATE

¡10V DRIVE

w DRAIN

e SOURCE

r DRAIN

¡VDSS ................................................................................150V

¡rDS (ON) (MAX) ................................................................ 0.8Ω

¡ID ............................................................................................2A

¡Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) ............. 65ns

MP-3

APPLICATION

Motor control, Lamp control, Solenoid control

DC-DC converter, etc.

MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)

Symbol

VDSS

VGSS

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Conditions

Ratings

Unit

VGS = 0V

VDS = 0V

150

±20

IDM

IDA

Drain current (Pulsed)

Avalanche drain current (Pulsed) L = 100µH

Source current

ISM

Source current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

°C

Tch

Tstg

—

–55 ~ +150

0.26

Storage temperature

°C

Weight

Typical value

Feb.1999

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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