FS20VS-6

更新时间： 2024-11-14 22:32:11

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三菱 - MITSUBISHI		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲
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4页	44K
描述
HIGH-SPEED SWITCHING USE

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FS20VS-6 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.32	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	300 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.26 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FS20VS-6 数据手册

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

FS20VS-6

HIGH-SPEED SWITCHING USE

FS20VS-6

OUTLINE DRAWING

Dimensions in mm

10.5MAX.

4.5

1.3

+0.3

–0

0.5

0.8

w e

w r

q GATE

w DRAIN

e SOURCE

r DRAIN

¡VDSS ................................................................................ 300V

¡rDS (ON) (MAX) .............................................................. 0.26Ω

¡ID ..........................................................................................20A

TO-220S

APPLICATION

SMPS, DC-DC Converter, battery charger, power

supply of printer, copier, HDD, FDD, TV, VCR, per-

sonal computer etc.

MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)

Symbol

VDSS

VGSS

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Conditions

Ratings

Unit

VGS = 0V

VDS = 0V

300

±30

IDM

Drain current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Weight

150

°C

Tch

–55 ~ +150

1.2

Tstg

—

Typical value

Feb.1999

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FS20VS-6-T2	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 300V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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