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FS20VS-5A-T11

更新时间： 2024-11-15 14:50:23

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	95K
描述
20A, 250V, 0.19ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3

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FS20VS-5A-T11 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	LDPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.34
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.19 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FS20VS-5A-T11 数据手册

FS20VS-5A

High-Speed Switching Use

Nch Power MOS FET

REJ03G0266-0100

Under development

Rev.1.00

Aug.20.2004

Features

•

Drive voltage : 10 V

V_DSS: 250 V

_{DS(ON) (max)}: 0.19 Ω

I_D: 20 A

Outline

LDPAK(S)-1

2, 4

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

Applications

PDP, lamp ballast, SMPS

Maximum Ratings

(Tc = 25°C)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

250

±30

Unit

Conditions

V_GS= 0 V

V_DS= 0 V

Drain current (Pulsed)

Avalanche current

Maximum power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Mass

I_DM

I_DA

L = 200 µH

P_D

100

°C

Tch

Tstg

—

– 55 to +150

1.2

Typical value

Rev.1.00, Aug.20.2004, page 1 of 6

12 3 4 5 6 7

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与FS20VS-5A-T11相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FS20VS-5-T1	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 250V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS20VS-5-T2	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 250V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS20VS6	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 300V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-263AB
FS20VS-6	MITSUBISHI	获取价格	HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS20VS-6	POWEREX	获取价格	Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS20VS-6	RENESAS	获取价格	MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FS20VS-6A-T11	RENESAS	获取价格	20A, 300V, 0.26ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3
FS20VS-6-T1	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 300V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS20VS-6-T2	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 300V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS20VSJ-3	RENESAS	获取价格	High-Speed Switching Use Pch Power MOS FET