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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FS14VS-10
FS14VS-10 PDF预览

FS14VS-10

更新时间： 2024-01-15 07:27:44
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
4页 45K
描述
HIGH-SPEED SWITCHING USE

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FS14VS-10 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.33
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：14 A
最大漏极电流 (ID)：14 A最大漏源导通电阻：0.64 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：42 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FS14VS-10 数据手册

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MITSUBISHI Nch POWER MOSFET  
FS14VS-10  
HIGH-SPEED SWITCHING USE  
ON-STATE VOLTAGE VS.  
GATE-SOURCE VOLTAGE  
(TYPICAL)  
ON-STATE RESISTANCE VS.  
DRAIN CURRENT  
(TYPICAL)  
2.0  
1.6  
1.2  
0.8  
40  
32  
24  
16  
8
T
C
= 25°C  
T
C
= 25°C  
Pulse Test  
Pulse Test  
V
GS = 10V  
I
D
= 25A  
20A  
20V  
14A  
7A  
0.4  
0
0
0
4
8
12  
16  
20  
10–1 2 3 5 7 100 2 3 5 7 101 2 3 5 7 102  
GATE-SOURCE VOLTAGE  
V
GS (V)  
DRAIN CURRENT ID (A)  
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE  
VS.DRAIN CURRENT  
(TYPICAL)  
TRANSFER CHARACTERISTICS  
(TYPICAL)  
40  
32  
24  
16  
8
102  
7
5
T
C
= 25°C  
DS = 50V  
Pulse Test  
V
TC = 25°C  
75°C  
3
2
125°C  
101  
7
5
3
2
V
DS = 10V  
Pulse Test  
0
100  
0
4
8
12  
16  
20  
100  
2
3
5 7 101  
2
3
5 7 102  
GATE-SOURCE VOLTAGE  
V
GS (V)  
DRAIN CURRENT ID (A)  
CAPACITANCE VS.  
DRAIN-SOURCE VOLTAGE  
(TYPICAL)  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
(TYPICAL)  
5
103  
7
5
Tch = 25°C  
3
2
V
V
R
DD = 200V  
GS = 10V  
Ciss  
GEN = RGS = 50Ω  
103  
7
3
2
5
t
d(off)  
3
2
102  
7
5
Coss  
Crss  
102  
7
t
t
f
r
5
3
2
t
d(on)  
3
2
Tch = 25°C  
f = 1MHz  
V
GS = 0V  
101  
101  
2 3 5 7 100 2 3 5 7 101 2 3 5 7 102 2 3  
100  
2
3
5 7 101  
2
3
5 7 102  
DRAIN-SOURCE VOLTAGE DS (V)  
V
DRAIN CURRENT  
ID (A)  
Feb.1999  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FS14VS-10A-T11 RENESAS

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 		14A, 500V, 0.64ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3
FS14VS-10-T1 MITSUBISHI

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 		Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 500V, 0.64ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS14VS-10-T2 MITSUBISHI

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 		Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 500V, 0.64ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS14VS9 ETC

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FS14VS-9-T1 MITSUBISHI

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 		Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 450V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FS1501-7EPB2 BEL

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 		DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 100W, Hybrid, METAL, CASE S02, MODULE

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