FS10ASJ-03

更新时间： 2024-01-10 00:49:00

品牌	Logo	应用领域
POWEREX		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数	文件大小	规格书
4页	46K
描述
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FS10ASJ-03 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.37
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.15 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FS10ASJ-03 数据手册

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

FS10ASJ-03

HIGH-SPEED SWITCHING USE

FS10ASJ-03

OUTLINE DRAWING

Dimensions in mm

6.5

0.5 ± 0.1

5.0 ± 0.2

1.0

0.9MAX.

0.5 ± 0.2

2.3 2.3

0.8

w r

q GATE

¡4V DRIVE

w DRAIN

e SOURCE

r DRAIN

¡VDSS ................................................................................. 30V

¡rDS (ON) (MAX) ............................................................. 75mΩ

¡ID ........................................................................................ 10A

¡Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) ............ 35ns

MP-3

APPLICATION

Motor control, Lamp control, Solenoid control

DC-DC converter, etc.

MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)

Symbol

VDSS

VGSS

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Conditions

Ratings

Unit

VGS = 0V

VDS = 0V

±20

IDM

IDA

Drain current (Pulsed)

Avalanche drain current (Pulsed) L = 30µH

Source current

ISM

Source current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

°C

Tch

–55 ~ +150

0.26

Tstg

—

Storage temperature

Weight

Typical value

Feb.1999

12 3 4

下载PDF

与FS10ASJ-03相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FS10ASJ-03-T1	MITSUBISHI	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
FS10ASJ06	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-252	获取价格
FS10ASJ-06	POWEREX	Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE	获取价格
FS10ASJ-06	RENESAS	MITSUBISHI Nch POWER MOSFET	获取价格
FS10ASJ-06	MITSUBISHI	HIGH-SPEED SWITCHING USE	获取价格
FS10ASJ-06F	RENESAS	High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET	获取价格