FS10ASJ-3

更新时间： 2024-01-10 05:41:36

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POWEREX		晶体开关晶体管功率场效应晶体管
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描述
Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE

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FS10ASJ-3 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.34	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.165 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FS10ASJ-3 数据手册

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

FS10ASJ-3

HIGH-SPEED SWITCHING USE

FS10ASJ-3

OUTLINE DRAWING

Dimensions in mm

6.5

0.5 ± 0.1

5.0 ± 0.2

1.0

0.9MAX.

0.5 ± 0.2

2.3 2.3

0.8

w r

q GATE

w DRAIN

e SOURCE

r DRAIN

¡4V DRIVE

¡VDSS ................................................................................150V

¡rDS (ON) (MAX) ........................................................... 160mΩ

¡ID ......................................................................................... 10A

¡Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) ............. 90ns

MP-3

APPLICATION

Motor control, Lamp control, Solenoid control

DC-DC converter, etc.

MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)

Symbol

VDSS

VGSS

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Conditions

Ratings

Unit

VGS = 0V

VDS = 0V

150

±20

IDM

IDA

Drain current (Pulsed)

Avalanche drain current (Pulsed) L = 100µH

Source current

ISM

Source current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

°C

Tch

–55 ~ +150

0.26

Tstg

—

Storage temperature

°C

Weight

Typical value

Feb.1999

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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