FS10ASJ-3

更新时间： 2024-01-24 08:29:13

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关晶体管功率场效应晶体管
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7页	171K
描述
High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET

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FS10ASJ-3 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.34	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.165 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FS10ASJ-3 数据手册

FS10ASJ-3

High-Speed Switching Use

Nch Power MOS FET

REJ03G1409-0200

(Previous: MEJ02G0078-0101)

Rev.2.00

Aug 07, 2006

Features

•

Drive voltage : 4 V

_DSS: 150 V

_{DS(ON) (max)}: 160 mΩ

I_D: 10 A

Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) : 90 ns

Outline

RENESAS Package code: PRSS0004ZA-A

(Package name: MP-3A)

2, 4

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

Applications

Motor control, Lamp control, Solenoid control, DC-DC converters, etc.

Maximum Ratings

(Tc = 25°C)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

Unit

Conditions

V_GS= 0 V

150

±20

V_DS= 0 V

Drain current (Pulsed)

Avalanche drain current (Pulsed)

Source current

I_DM

I_DA

L = 100 µH

I_S

Source current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Mass

I_SM

P_D

°C

Tch

Tstg

—

– 55 to +150

0.32

Typical value

Rev.2.00 Aug 07, 2006 page 1 of 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FS10ASJ-3-T1	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FS10ASJ-3-T13	RENESAS	获取价格	High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET
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FS10KM	POWEREX	获取价格	Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FS10KM	MITSUBISHI	获取价格	HIGH-SPEED SWITCHING USE
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