5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.73 | 其他特性： | RADIATION HARDENED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-205AF | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 25 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 345 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 245 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FRL130H4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-205AF |
|
| FRL130R | INTERSIL |
获取价格 |
8A, 100V, 0.180 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFETs |
|
| FRL130R1 | RENESAS |
获取价格 |
8A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
|
| FRL130R2 | RENESAS |
获取价格 |
8A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF |
|
| FRL130R3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-205AF |
|
| FRL130R4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-205AF |
|
| FRL1-330-JB | RCD |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 33uH, 5%, 1 Element, Ferrite-Core, RADIAL LEADED |
|
| FRL1-330-JBQ | RCD |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 33uH, 5%, 1 Element, Ferrite-Core, RADIAL LEADED |
|
| FRL1-330-JBW | RCD |
获取价格 |
General Purpose Inductor, 33uH, 5%, 1 Element, Ferrite-Core, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT |
|
| FRL1330KB | RCD |
获取价格 |
1 ELEMENT, 33uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, RADIAL LEADED |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
