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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.29 | 其他特性： | RADIATION HARDENED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 14 A | 最大漏源导通电阻： | 0.315 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-254AA |
| JESD-30 代码： | S-MSFM-P3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 125 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 42 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 936 ns | 最大开启时间（吨）： | 344 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FRF9250R | INTERSIL |
获取价格 |
14A, -200V, 0.315 Ohm, Rad Hard, P-Channel Power MOSFETs |
|
| FRF9250R1 | RENESAS |
获取价格 |
14A, 200V, 0.315ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
|
| FRF9250R2 | RENESAS |
获取价格 |
14A, 200V, 0.315ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
|
| FRF9250R3 | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 200V, 0.315ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| FRF9250R4 | RENESAS |
获取价格 |
14A, 200V, 0.315ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA |
|
| FR-FRR | PREMO |
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General Purpose |
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| FRG05W | PANJIT |
获取价格 |
SMAG |
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| FRG1000-16 | DBLECTRO |
获取价格 |
Radial Leaded PTC FRG Series |
|
| FRG1000-16F | RFE |
获取价格 |
Radial Leaded PPTC FRG Series |
|
| FRG1100-16 | DBLECTRO |
获取价格 |
Radial Leaded PTC FRG Series |
|
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