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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.77 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FRF450R | INTERSIL |
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9A, 500V, 0.615 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFETs |
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| FRF450R1 | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,9A I(D),TO-254AA |
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| FRF450R2 | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.615ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FRF450R3 | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,9A I(D),TO-254AA |
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| FRF450R4 | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.615ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FRF501G | TSC |
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Isolation 5.0 AMPS. Glass Passivated Fast Recovery Rectifiers |
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| FRF501G | LGE |
获取价格 |
Isolated5.0AMP.Glass Passivated Fast Recovery Rectifiers |
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| FRF501G_1 | TSC |
获取价格 |
Isolated 5.0 AMPS. Glass Passivated Fast Recovery Rectifiers |
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| FRF502G | TSC |
获取价格 |
Isolation 5.0 AMPS. Glass Passivated Fast Recovery Rectifiers |
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| FRF502G | LGE |
获取价格 |
Isolated5.0AMP.Glass Passivated Fast Recovery Rectifiers |
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