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FRA1G

更新时间： 2024-11-06 03:37:47
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 二极管
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2页 158K
描述
Fast Avalanche Diodes

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FRA1G 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-214AC
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.71
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-214AC
JESD-30 代码：R-PDSO-C2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-50 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：400 V最大反向恢复时间：0.15 µs
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子形式：C BEND端子位置：DUAL

FRA1G 数据手册

 浏览型号FRA1G的Datasheet PDF文件第2页 
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Absolute Maximum Ratings  
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Forward Current: 1 A  
Reverse Voltage: 50 to 1000 V  
Values  
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Features  
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Mechanical Data  
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1
08-03-2007 MAM  
© by SEMIKRON  
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