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FP10R12W1T4P

更新时间: 2024-01-09 08:35:16
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页数 文件大小 规格书
12页 503K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

FP10R12W1T4P 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.56Base Number Matches:1

FP10R12W1T4P 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FP10R12W1T4  
Vorläufige Daten  
preliminary data  
Diode-Brems-Chopper / Diode-brake-chopper  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung  
repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage  
TÝÎꢀ=ꢀ25°C  
Vçç¢  
IŒ  
1200  
10  
ꢀꢀ  
V
A
A
Dauergleichstrom  
DCꢀforwardꢀcurrent  
PeriodischerꢀSpitzenstrom  
tÔꢀ=ꢀ1ꢀms  
IŒç¢  
I²t  
20  
repetitiveꢀpeakꢀforw.ꢀcurrent  
Grenzlastintegral  
I²tꢀꢁꢀvalue  
Vçꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀt«ꢀ=ꢀ10ꢀms,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ125°C  
Vçꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀt«ꢀ=ꢀ10ꢀms,ꢀTÝÎꢀ=ꢀ150°C  
16,0  
14,0  
A²s  
A²s  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
forwardꢀvoltage  
IŒꢀ=ꢀ10ꢀA,ꢀV•Šꢀ=ꢀ0ꢀV  
IŒꢀ=ꢀ10ꢀA,ꢀV•Šꢀ=ꢀ0ꢀV  
IŒꢀ=ꢀ10ꢀA,ꢀV•Šꢀ=ꢀ0ꢀV  
TÝÎꢀ=ꢀ25°C  
TÝÎꢀ=ꢀ125°C  
TÝÎꢀ=ꢀ150°C  
1,75 2,25  
V
V
V
VŒ  
Iç¢  
QØ  
1,75  
1,75  
Rückstromspitze  
peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent  
IŒꢀ=ꢀ10ꢀA,ꢀꢁꢀdiŒ/dtꢀ=ꢀ500ꢀA/ꢂsꢀ(TÝÎ=150°C)  
Vçꢀ=ꢀ600ꢀV  
V•Šꢀ=ꢀꢁ15ꢀV  
TÝÎꢀ=ꢀ25°C  
TÝÎꢀ=ꢀ125°C  
TÝÎꢀ=ꢀ150°C  
12,0  
10,0  
8,00  
A
A
A
Sperrverzögerungsladung  
recoveredꢀcharge  
IŒꢀ=ꢀ10ꢀA,ꢀꢁꢀdiŒ/dtꢀ=ꢀ500ꢀA/ꢂsꢀ(TÝÎ=150°C)  
Vçꢀ=ꢀ600ꢀV  
V•Šꢀ=ꢀꢁ15ꢀV  
TÝÎꢀ=ꢀ25°C  
TÝÎꢀ=ꢀ125°C  
TÝÎꢀ=ꢀ150°C  
0,90  
1,70  
1,90  
ꢂC  
ꢂC  
ꢂC  
AbschaltenergieꢀproꢀPuls  
reverseꢀrecoveryꢀenergy  
IŒꢀ=ꢀ10ꢀA,ꢀꢁꢀdiŒ/dtꢀ=ꢀ500ꢀA/ꢂsꢀ(TÝÎ=150°C)  
Vçꢀ=ꢀ600ꢀV  
V•Šꢀ=ꢀꢁ15ꢀV  
TÝÎꢀ=ꢀ25°C  
TÝÎꢀ=ꢀ125°C  
TÝÎꢀ=ꢀ150°C  
0,24  
0,52  
0,59  
mJ  
mJ  
mJ  
EØþÊ  
InnererꢀWärmewiderstand  
thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
1,75 1,90 K/W  
ÜbergangsꢁWärmewiderstand  
thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
ð«ÈÙÚþꢀ=ꢀ1ꢀW/(mꢃK)ꢀ/ðÃØþÈÙþꢀ=ꢀ1ꢀW/(mꢃK)  
1,30  
K/W  
NTC-Widerstand / NTC-thermistor  
Charakteristische Werte / characteristic values  
Nennwiderstand  
ratedꢀresistance  
min. typ. max.  
T†ꢀ=ꢀ25°C  
Rèë  
ÆR/R  
Pèë  
ꢁ5  
5,00  
k  
%
AbweichungꢀvonꢀRæåå  
deviationꢀofꢀRæåå  
T†ꢀ=ꢀ100°C,ꢀRæååꢀ=ꢀ493ꢀÂ  
5
Verlustleistung  
powerꢀdissipation  
T†ꢀ=ꢀ25°C  
20,0 mW  
BꢁWert  
Bꢁvalue  
Rèꢀ=ꢀRèëꢀexpꢀ[Bèëõëå(1/Tèꢀꢁꢀ1/(298,15ꢀK))]  
Rèꢀ=ꢀRèëꢀexpꢀ[Bèëõîå(1/Tèꢀꢁꢀ1/(298,15ꢀK))]  
Rèꢀ=ꢀRèëꢀexpꢀ[Bèëõæåå(1/Tèꢀꢁꢀ1/(298,15ꢀK))]  
Bèëõëå  
Bèëõîå  
Bèëõæåå  
3375  
3411  
3433  
K
K
K
BꢁWert  
Bꢁvalue  
BꢁWert  
Bꢁvalue  
Angaben gemäß gültiger Application Note.  
Specification according to the valid application note.  
preparedꢀby:ꢀDK  
approvedꢀby:ꢀMB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2009ꢁ10ꢁ30  
revision:ꢀ2.1  
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