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FOD817B3SD

更新时间： 2024-11-19 11:01:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 输出元件晶体管光电晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 534K
描述
4 引脚 DIP 光电晶体管光耦合器

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FOD817B3SD 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：DIP-4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.40.80.00
风险等级：0.74其他特性：UL APPROVED, VDE APPROVED
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：70 V配置：SINGLE
当前传输比率-最小值：130%标称电流传输比：130%
最大暗电源：100 nA最大正向电流：0.05 A
最大正向电压：1.4 V最大绝缘电压：5000 V
JESD-609代码：e3安装特点：SURFACE MOUNT
元件数量：1最大通态电流：0.05 A
最高工作温度：110 °C最低工作温度：-55 °C
光电设备类型：TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER最大功率耗散：0.15 W
最长响应时间：0.000018 s子类别：Optocoupler - Transistor Outputs
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
Base Number Matches：1

FOD817B3SD 数据手册

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FOD814 Series, FOD817 Series  
4-Pin DIP Phototransistor Optocouplers  
Features  
Description  
• AC Input Response (FOD814)  
The FOD814 consists of two gallium arsenide infrared  
emitting diodes, connected in inverse parallel, driving a  
silicon phototransistor output in a 4-pin dual in-line  
package. The FOD817 Series consists of a gallium  
• Current Transfer Ratio in Selected Groups:  
FOD814: 20–300%  
FOD814A: 50–150%  
FOD817: 50–600%  
FOD817A: 80–160%  
FOD817B: 130–260%  
FOD817C: 200–400%  
FOD817D: 300–600%  
arsenide infrared emitting diode driving  
phototransistor in a 4-pin dual in-line package.  
a silicon  
• Minimum BVCEO of 70 V Guaranteed  
• Safety and Regulatory Approvals  
– UL1577, 5,000 VACRMS for 1 Minute  
– DIN EN/IEC60747-5-5  
Applications  
FOD814 Series  
• AC Line Monitor  
• Unknown Polarity DC Sensor  
• Telephone Line Interface  
FOD817 Series  
• Power Supply Regulators  
• Digital Logic Inputs  
• Microprocessor Inputs  
Functional Block Diagram  
ANODE, CATHODE 1  
CATHODE, ANODE 2  
4 COLLECTOR  
1
2
4
COLLECTOR  
ANODE  
4
3 EMITTER  
CATHODE  
3 EMITTER  
FOD814  
FOD817  
1
Figure 2. Package Outlines  
Figure 1. Schematic  
Publication Order Number:  
FOD814/D  
©2006 Semiconductor Components Industries, LLC.  
July-2018, Rev. 5  
1234567...12

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FOD817B3SD 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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