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FOD3182SV

更新时间： 2024-02-26 15:28:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 栅输出元件光电
页数 文件大小 规格书
23页 654K
描述
3A Output Current, High Speed MOSFET Gate Driver Optocoupler

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FOD3182SV 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：DIP-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.40.80.00
Factory Lead Time：7 weeks风险等级：1.09
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED, VDE APPROVED
配置：SINGLE最大正向电流：0.016 A
最大正向电压：1.8 V最大绝缘电压：5000 V
JESD-609代码：e3安装特点：SURFACE MOUNT
元件数量：1最高工作温度：100 °C
最低工作温度：-40 °C光电设备类型：LOGIC IC OUTPUT OPTOCOUPLER
最大功率耗散：0.295 W子类别：Optocoupler - Transistor Outputs
最小供电电压：10 V表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)Base Number Matches：1

FOD3182SV 数据手册

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Safety and Insulation Ratings  
As per DIN EN/IEC 60747-5-2. This optocoupler is suitable for “safe electrical insulation” only within the safety  
limit data. Compliance with the safety ratings shall be ensured by means of protective circuits.  
Symbol  
Parameter  
Installation Classifications per DIN VDE 0110/1.89 Table 1  
For Rated Mains Voltage < 150Vrms  
For Rated Mains Voltage < 300Vrms  
For Rated Mains Voltage < 450Vrms  
For Rated Mains Voltage < 600Vrms  
For Rated Mains Voltage < 1000Vrms (Option T, TS)  
Climatic Classification  
Min.  
Typ.  
Max. Unit  
I–IV  
I–IV  
I–III  
I–III  
I–III  
40/100/21  
2
Pollution Degree (DIN VDE 0110/1.89)  
Comparative Tracking Index  
CTI  
175  
V
Input to Output Test Voltage, Method b,  
2651  
PR  
V
x 1.875 = V , 100% Production Test with  
IORM  
PR  
tm = 1 sec., Partial Discharge < 5pC  
Input to Output Test Voltage, Method a,  
2121  
V
x 1.5 = V , Type and Sample Test with  
PR  
IORM  
tm = 60 sec.,Partial Discharge < 5 pC  
Max Working Insulation Voltage  
Highest Allowable Over Voltage  
External Creepage  
V
1,414  
6000  
8
V
V
IORM  
peak  
V
IOTM  
peak  
mm  
mm  
mm  
mm  
External Clearance  
7.4  
External Clearance (for Option T or TS - 0.4” Lead Spacing)  
Insulation Thickness  
10.16  
0.5  
Safety Limit Values – Maximum Values Allowed in the  
Event of a Failure  
T
Case Temperature  
150  
25  
°C  
mA  
mW  
Ω
Case  
I
Input Current  
S,INPUT  
P
Output Power (Duty Factor ≤ 2.7%)  
Insulation Resistance at T , V = 500V  
250  
S,OUTPUT  
9
R
10  
IO  
S
IO  
©2010 Fairchild Semiconductor Corporation  
FOD3182 Rev. 1.0.9  
www.fairchildsemi.com  
3
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