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FOD3182TSR2

更新时间： 2024-01-08 21:12:01
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 栅
页数 文件大小 规格书
23页 654K
描述
3A Output Current, High Speed MOSFET Gate Driver Optocoupler

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FOD3182TSR2 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：DIP-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.40.80.00
Factory Lead Time：7 weeks风险等级：1.67
其他特性：UL RECOGNIZED, VDE APPROVED配置：SINGLE
最大正向电流：0.016 A最大正向电压：1.8 V
最大绝缘电压：5000 VJESD-609代码：e3
安装特点：SURFACE MOUNT元件数量：1
最高工作温度：100 °C最低工作温度：-40 °C
光电设备类型：LOGIC IC OUTPUT OPTOCOUPLER最大功率耗散：0.295 W
子类别：Optocoupler - Transistor Outputs最小供电电压：10 V
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
Base Number Matches：1

FOD3182TSR2 数据手册

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February 2011  
FOD3182  
3A Output Current, High Speed MOSFET Gate Driver  
Optocoupler  
Features  
Applications  
■ Plasma Display Panel  
■ High noise immunity characterized by 50kV/µs (Typ.)  
common mode rejection @ V  
■ Guaranteed operating temperature range of  
-40°C to +100°C  
= 2,000V  
■ High performance DC/DC convertor  
■ High performance switch mode power supply  
■ High performance uninterruptible power supply  
■ Isolated Power MOSFET gate drive  
CM  
■ 3A peak output current  
■ Fast switching speed  
– 210ns max. propagation delay  
– 65ns max pulse width distortion  
■ Fast output rise/fall time  
– Offers lower dynamic power dissipation  
■ 250kHz maximum switching speed  
Description  
The FOD3182 is a 3A Output Current, High Speed  
MOSFET Gate Drive Optocoupler. It consists of a  
aluminium gallium arsenide (AlGaAs) light emitting diode  
optically coupled to a CMOS detector with PMOS and  
NMOS output power transistors integrated circuit power  
stage. It is ideally suited for high frequency driving of  
power MOSFETS used in Plasma Display Panels  
(PDPs), motor control inverter applications and high  
performance DC/DC converters.  
■ Wide V operating range: 10V to 30V  
DD  
■ Use of P-Channel MOSFETs at output stage  
enables output voltage swing close to the supply rail  
(rail-to-rail output)  
■ 5000Vrms, 1 minute isolation  
■ Under voltage lockout protection (UVLO) with  
hysteresis – optimized for driving MOSFETs  
■ Minimum creepage distance of 8.0mm  
■ Minimum clearance distance of 10mm to 16mm  
(option TV or TSV)  
The device is packaged in an 8-pin dual in-line housing  
compatible with 260°C reflow processes for lead free  
solder compliance.  
■ Minimum insulation thickness of 0.5mm  
■ UL and VDE*  
■ 1,414 peak working insulation voltage (V  
)
IORM  
*Requires ‘V’ ordering option  
Functional Block Diagram  
Package Outlines  
1
2
3
4
8
7
NC  
ANODE  
CATHODE  
NC  
V
V
DD  
8
8
O2  
O1  
SS  
1
1
6 V  
5 V  
8
8
1
Note:  
1
A 0.1µF bypass capacitor must be connected between pins 5 and 8.  
©2010 Fairchild Semiconductor Corporation  
FOD3182 Rev. 1.0.9  
www.fairchildsemi.com  
1234567...23

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