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FMY6T149

更新时间: 2024-11-10 14:25:31
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 73K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 32V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon

FMY6T149 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.77
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:32 V配置:COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):120JESD-30 代码:R-PDSO-G5
元件数量:2端子数量:5
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN AND PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
VCEsat-Max:0.4 VBase Number Matches:1

FMY6T149 数据手册

 浏览型号FMY6T149的Datasheet PDF文件第2页 

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