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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMT619
FMMT619 PDF预览

FMMT619

更新时间： 2024-11-19 10:34:51
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 295K
描述
SOT23 NPN SILICON POWER

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FMMT619 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.21
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：165 MHz
Base Number Matches：1

FMMT619 数据手册

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SuperSOT  
FMMT617 FMMT618  
FMMT619 FMMT624  
FMMT625  
SOT23 NPN SILICON POWER  
(SWITCHING) TRANSISTORS  
ISSUE 3 - NOVEMBER 1995  
FEATURES  
* 625mW POWER DISSIPATION  
*
*
*
*
*
IC CONT 3A  
E
12A Peak Pulse Current  
C
Excellent HFE Characteristics Up To 12A (pulsed)  
Extremely Low Saturation Voltage E.g. 8mV Typ.  
Extremely Low Equivalent On Resistance; RCE(sat)  
B
DEVICE TYPE  
FMMT617  
FMMT618  
FMMT619  
FMMT624  
FMMT625  
COMPLEMENT  
FMMT717  
FMMT718  
FMMT720  
FMMT723  
–
PARTMARKING  
RCE(sat)  
50mΩ at 3A  
50mΩ at 2A  
75mΩ at 2A  
-
617  
618  
619  
624  
625  
-
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
FMMT FMMT FMMT FMMT FMMT  
PARAMETER  
SYMBOL  
617  
15  
15  
5
618  
20  
20  
5
619  
624  
125  
125  
5
625  
150  
150  
5
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Peak Pulse Current**  
Continuous Collector Current  
Base Current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
IC  
50  
50  
V
5
V
12  
3
6
6
2
3
3
A
2.5  
1
1
A
IB  
500  
mA  
mW  
°C  
Power Dissipation at Tamb=25°C*  
Ptot  
625  
Operating and Storage Temperature Tj:Tstg  
Range  
-55 to +150  
*
Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on a ceramic  
substrate measuring 15x15x0.6mm  
**Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
Spice parameter data is available upon request for these devices  
3 - 149  
1234

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FMMT619 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FMMT619TA DIODES

完全替代

 50V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23
PBSS4320T NEXPERIA

类似代替

 20 V NPN low VCEsat transistorProduction
FMMT619TC DIODES

功能相似

 50V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23

与FMMT619相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FMMT619-3L BL Galaxy Electrical

获取价格

 		50V,2A,Medium Power NPN Bipolar Transistor
FMMT619-G COMCHIP

获取价格

 		NPN TRANSISTOR 2A 50V SOT-23 ROH
FMMT619L YANGJIE

获取价格

 		SOT-23-3L
FMMT619L MCC

获取价格

 		Tape: 3K/Reel , 120K/Ctn;
FMMT619Q DIODES

获取价格

 		NPN, 50V, 2A, SOT23
FMMT619QTA DIODES

获取价格

 		50V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23
FMMT619TA DIODES

获取价格

 		50V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23
FMMT619TC DIODES

获取价格

 		50V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23
FMMT619-TP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
FMMT620 DIODES

获取价格

 		80V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23

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