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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> FMMT619
FMMT619 PDF预览

FMMT619

更新时间： 2024-01-07 11:27:26
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 295K
描述
SOT23 NPN SILICON POWER

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FMMT619 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.7最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

FMMT619 数据手册

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SuperSOT  
FMMT617 FMMT618  
FMMT619 FMMT624  
FMMT625  
SOT23 NPN SILICON POWER  
(SWITCHING) TRANSISTORS  
ISSUE 3 - NOVEMBER 1995  
FEATURES  
* 625mW POWER DISSIPATION  
*
*
*
*
*
IC CONT 3A  
E
12A Peak Pulse Current  
C
Excellent HFE Characteristics Up To 12A (pulsed)  
Extremely Low Saturation Voltage E.g. 8mV Typ.  
Extremely Low Equivalent On Resistance; RCE(sat)  
B
DEVICE TYPE  
FMMT617  
FMMT618  
FMMT619  
FMMT624  
FMMT625  
COMPLEMENT  
FMMT717  
FMMT718  
FMMT720  
FMMT723  
–
PARTMARKING  
RCE(sat)  
50mΩ at 3A  
50mΩ at 2A  
75mΩ at 2A  
-
617  
618  
619  
624  
625  
-
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
FMMT FMMT FMMT FMMT FMMT  
PARAMETER  
SYMBOL  
617  
15  
15  
5
618  
20  
20  
5
619  
624  
125  
125  
5
625  
150  
150  
5
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Peak Pulse Current**  
Continuous Collector Current  
Base Current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
IC  
50  
50  
V
5
V
12  
3
6
6
2
3
3
A
2.5  
1
1
A
IB  
500  
mA  
mW  
°C  
Power Dissipation at Tamb=25°C*  
Ptot  
625  
Operating and Storage Temperature Tj:Tstg  
Range  
-55 to +150  
*
Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on a ceramic  
substrate measuring 15x15x0.6mm  
**Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
Spice parameter data is available upon request for these devices  
3 - 149  
1234

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FMMT619 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FMMT619TA DIODES

完全替代

 50V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23
PBSS4320T NEXPERIA

类似代替

 20 V NPN low VCEsat transistorProduction
FMMT619TC DIODES

功能相似

 50V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23

与FMMT619相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FMMT619-3L BL Galaxy Electrical

获取价格

 		50V,2A,Medium Power NPN Bipolar Transistor
FMMT619-G COMCHIP

获取价格

 		NPN TRANSISTOR 2A 50V SOT-23 ROH
FMMT619L YANGJIE

获取价格

 		SOT-23-3L
FMMT619L MCC

获取价格

 		Tape: 3K/Reel , 120K/Ctn;
FMMT619Q DIODES

获取价格

 		NPN, 50V, 2A, SOT23
FMMT619QTA DIODES

获取价格

 		50V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23
FMMT619TA DIODES

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 		50V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23
FMMT619TC DIODES

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 		50V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23
FMMT619-TP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
FMMT620 DIODES

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 		80V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23

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