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FML60N146S2HF

更新时间： 2024-04-09 18:59:24

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富士电机 - FUJI		/
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FML60N146S2HF 数据手册

FUJI POWER MOSFET

FML60N146S2HF

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/

Typical capacitance

C= f (VDS) : VGS= 0 V, f= 250 kHz

Typical Coss stored energy

100000

10000

1000

100

Ciss

Coss

Crss

0.1

100

1000

100

200

300

400

500

600

V^DS[V]

VDS [V]

Typical switching times vs. I^D

t= f (ID) : VDD= 400 V, VGS= 10 V/0 V, RG= 39 Ω, Tch= 25°C

1000

Typical gate charge

VGS= f (QG) : ID= 22.7 A, Tch= 25°C

td(off)

400V

120V

VDD=480V

100

td(on)

0.1

100

ID [A]

QG [nC]

Maximum Avalanche Energy

Transient Thermal Impedance

EAV = f (starting Tch) : VDD= 60 V, IAV≤3.5 A

Zth(ch-c)= f (t) : D= 0

1200

1000

800

600

400

200

IAS=1.1A

0.1

IAS=2.1A

IAS=3.5A

0.01

0.001

100

150

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

1.0E-05 1.0E-04 1.0E-03 1.0E-02 1.0E-01 1.0E+00

starting Tch [℃]

tp [sec.]

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