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FML60N146S2HF

更新时间： 2024-04-09 18:59:24

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富士电机 - FUJI		/
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8页	878K
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DFN8x8

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FML60N146S2HF 数据手册

FUJI POWER MOSFET

FML60N146S2HF

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/

Allowable power dissipation

Safe operating area

ID = f (VDS) : Duty = 0(Single pulse), Tc = 25°C

Ptot= f (Tc)

180

160

140

120

100

1us

10us

100us

Operation in this are is

limited by R^DS(on)

1ms

0.1

0.01

100

1000

100

150

VDS [V]

TC [°C]

Typical output characteristics

ID = f (VDS) : 80 μs pulse test, Tch= 150°C

Typical output characteristics

ID = f (VDS) : 80 μs pulse test, Tch= 25°C

20V

10V

8.5V

7.5V

8.5V

6.5V

7.5V

VGS=5.5V

VGS=6.5V

VDS [V]

Typical drain-source on-state resistance

ID = f (VDS) : 80 μs pulse test, Tch= 25°C

Typical drain-source on-state resistance

ID = f (VDS) : 80 μs pulse test, Tch= 150°C

0.50

0.45

0.40

0.35

0.30

0.25

0.20

0.15

0.10

0.05

0.00

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

7.5V

6.5V

5.5V

6.5V

8.5V

7.5V

10V

8.5V

VGS=20V

10V

VGS=20V

ID [V]

ID [A]

1 234 5 6 7 8

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