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FML60N146S2HF

更新时间： 2024-04-09 18:59:24

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富士电机 - FUJI		/
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FML60N146S2HF 数据手册

FUJI POWER MOSFET

FML60N146S2HF

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/

Drain-source breakdown voltage

V(BR)DSS= f (Tch) : ID= 10 mA, VGS= 0 V

Drain-source on-state resistance

RDS(on)= f (Tch) : ID= 5.7 A, VGS= 10 V

700

650

600

550

500

0.40

0.35

0.30

0.25

0.20

0.15

0.10

0.05

0.00

This curve is not a guaranteed performance and is a reference value.

max.

typ.

-75 -50 -25

75 100 125 150 175

-75 -50 -25

75 100 125 150 175

TC [°C]

Gate threshold voltage

VGS(th)= f (Tch) : VDS= VGS, ID= 1.54 mA

Typical transfer characteristic

ID= f (VGS) : 80 μs pulse test, VDS= 25 V

100

typ.

150°C

Tch=25°C

0.1

-75

-25

125

175

TC [°C]

VGS [V]

Typical transconductance

gfs= f (ID) : 80 μs pulse test, VDS= 25 V

Typical forward characteristics of reverse diode

IDR= f (VDSR) : 80 μs pulse test

100

150°C

Tch=25°C

150°C

0.1

100

0.5

1.5

ID [A]

VDSR [V]

1 2 345 6 7 8

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