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FMG2G50US60

更新时间： 2024-02-25 09:39:46
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 602K
描述
Molding Type Module

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FMG2G50US60 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数：7Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.83其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：50 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-X7JESD-609代码：e3
元件数量：2端子数量：7
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：320 ns
标称接通时间 (ton)：50 nsBase Number Matches：1

FMG2G50US60 数据手册

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Electrical Characteristics of IGBT  
T
= 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Temperature Coeff. of Breakdown  
Voltage  
V
V
= 0V, I = 250uA  
600  
--  
--  
--  
--  
V
CES  
GE  
C
∆B  
/
VCES  
J
= 0V, I = 1mA  
0.6  
V/°C  
GE  
C
∆T  
I
I
Collector Cut-Off Current  
G-E Leakage Current  
V
V
= V  
= V  
, V = 0V  
--  
--  
--  
--  
250  
uA  
nA  
CES  
GES  
CE  
CES  
GE  
, V = 0V  
± 100  
GE  
GES  
CE  
On Characteristics  
V
G-E Threshold Voltage  
Collector to Emitter  
Saturation Voltage  
V
= 0V,  
I = 50mA  
C
5.0  
--  
6.0  
2.2  
8.5  
2.8  
V
V
GE(th)  
GE  
V
I
= 50A, V = 15V  
GE  
CE(sat)  
C
Dynamic Characteristics  
C
C
C
Input Capacitance  
--  
--  
--  
3460  
480  
--  
--  
--  
pF  
pF  
pF  
ies  
V
= 30V V = 0V,  
, GE  
CE  
Output Capacitance  
oes  
res  
f = 1MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
140  
Switching Characteristics  
t
t
t
t
Turn-On Delay Time  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
--  
20  
30  
--  
--  
ns  
ns  
d(on)  
Rise Time  
r
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
60  
--  
ns  
V
R
= 300 V, I = 50A,  
C
d(off)  
CC  
= 5.9Ω, V = 15V  
110  
1.1  
1.2  
2.3  
20  
200  
--  
ns  
f
G
GE  
Inductive Load, T = 25°C  
E
E
E
Turn-On Switching Loss  
Turn-Off Switching Loss  
Total Switching Loss  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
mJ  
mJ  
mJ  
ns  
C
on  
--  
off  
--  
ts  
t
t
t
t
--  
d(on)  
r
30  
--  
ns  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
70  
--  
ns  
V
= 300 V, I = 50A,  
C
d(off)  
f
CC  
R
= 5.9Ω, V = 15V  
250  
1.2  
2.4  
3.6  
--  
ns  
G
GE  
Inductive Load, T = 125°C  
E
E
E
Turn-On Switching Loss  
Turn-Off Switching Loss  
Total Switching Loss  
--  
mJ  
mJ  
mJ  
C
on  
off  
ts  
--  
--  
V
= 300 V, V = 15V  
GE  
CC  
T
Short Circuit Withstand Time  
10  
--  
--  
us  
sc  
@ T = 100°C  
C
Q
Total Gate Charge  
--  
--  
--  
145  
28  
210  
40  
nC  
nC  
nC  
g
V
V
= 300 V, I = 50A,  
= 15V  
CE  
GE  
C
Q
Q
Gate-Emitter Charge  
Gate-Collector Charge  
ge  
gc  
65  
95  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
FMG2G50US60 Rev. A  
1234567...9

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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