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FMG2G50US60

更新时间： 2024-01-28 18:39:37

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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9页	602K
描述
Molding Type Module

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FMG2G50US60 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数：	7	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	50 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-X7	JESD-609代码：	e3
元件数量：	2	端子数量：	7
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	320 ns
标称接通时间 (ton)：	50 ns	Base Number Matches：	1

FMG2G50US60 数据手册

7000

6000

5000

4000

3000

2000

1000

100

Common Emitter

V_GE= 0V, f = 1MHz

Common Emitter

V_CC= 300V, V_GE= +/- 15V

℃

T_C= 25

_C= 50A

T_C= 25⁰C

T_C= 125⁰C

Ton

Cies

Coes

Cres

Collector - Emitter Voltage, V_CE[V]

Gate Resistance, R_G[Ω]

Fig 8. Turn-On Characteristics vs.

Fig 7. Capacitance Characteristics

Common Emitter

V_CC= 300V, V_GE= +/- 15V

_C= 50A

_C= 25⁰C

_C= 125⁰C

I_C= 50A

_C= 25⁰C

_C= 125⁰C

10000

1000

Toff

Eoff

Eon

Eoff

100

1000

Gate Resistance, R_G[Ω]

Gate Resistance, R_g[Ω]

Fig 9. Turn-Off Characteristics vs.

Gate Resistance

Fig 10. Switching Loss vs. Gate Resistance

Common Emitter

V_CC= 300V, V_GE= +/- 15V

_CC= 300V, V_GE= +/- 15V

_G= 5.9Ω

T_C= 25⁰C

_C= 125⁰C

R_G= 5.9Ω

1000

T_C= 25⁰C

T_C= 125⁰C

Toff

Ton

100

Toff

100

Collector Current, I_C[A]

Fig 11. Turn-On Characteristics vs.

Collector Current

Fig 12. Turn-Off Characteristics vs.

Collector Current

FMG2G50US60 Rev. A

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