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FMG2A

更新时间： 2024-02-21 10:30:38
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管数字晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 72K
描述
Emitter common (dual digital transistors)

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FMG2A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.48Is Samacsys：N
其他特性：DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.03 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：68JESD-30 代码：R-PDSO-G5
JESD-609代码：e1元件数量：2
端子数量：5封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FMG2A 数据手册

 浏览型号FMG2A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FMG2A的Datasheet PDF文件第3页 
EMG2 / UMG2N / FMG2A  
Transistors  
Emitter common  
(dual digital transistors)  
EMG2 / UMG2N / FMG2A  
zFeatures  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
1) Two DTC144E chips in a EMT or UMT or SMT  
package.  
EMG2  
2) Mounting cost and area can be cut in half.  
( )  
3
( )  
2
( )  
1
(
(
)
)
4
5
1.2  
1.6  
zStructure  
Dual NPN digital transistor  
(each with a single built in resistors)  
Each lead has same dimensions  
ROHM : EMT5  
Abbreviated symbol : G2  
The following characteristics apply to both the DTr1 and  
DTr2.  
UMG2N  
1.25  
2.1  
zEquivalent circuit  
0.1Min.  
EMG2 / UMG2N  
FMG2A  
Each lead has same dimensions  
(3)  
(4)  
(5)  
(3)  
(2)  
(1)  
R
1
=47kΩ  
=47kΩ  
R
1
=47kΩ  
=47kΩ  
R
1
R1  
R1  
R1  
R2  
R2  
R
2
R2  
R
2
R2  
ROHM : UMT5  
EIAJ : SC-88A  
DTr2  
DTr1  
DTr2  
DTr1  
Abbreviated symbol : G2  
(2)  
(1)  
(4)  
(5)  
FMG2A  
1.6  
2.8  
zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Limits  
Parameter  
Supply voltage  
Symbol  
Unit  
V
0.3to0.6  
V
CC  
50  
40  
Each lead has same dimensions  
ROHM : SMT5  
EIAJ : SC-74A  
Input voltage  
V
IN  
V
−10  
30  
Abbreviated symbol : G2  
I
O
Output current  
mA  
mW  
I
C (Max.)  
100  
1
2
EMG2, UMG2N  
150 (TOTAL)  
300 (TOTAL)  
150  
∗
∗
Power  
Pd  
dissipation  
FMG2A  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
˚C  
˚C  
Tstg  
−55 to +150  
1 120mW per element must not be exceeded.  
2 200mW per element must not be exceeded.  
∗
∗
Rev.A  
1/2  
123

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与FMG2A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FMG2AT148 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, SC-74A
FMG2AT149 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
FMG2G100US60 FAIRCHILD

获取价格

 		Molding Type Module
FMG2G150US60 FAIRCHILD

获取价格

 		Molding Type Module
FMG2G150US60E FAIRCHILD

获取价格

 		Molding Type Module
FMG2G200US60 FAIRCHILD

获取价格

 		Molding Type Module
FMG2G300LS60E FAIRCHILD

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 		Molding Type Module
FMG2G300LS60E_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC
FMG2G300US60 FAIRCHILD

获取价格

 		Molding Type Module
FMG2G300US60_NL FAIRCHILD

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC

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