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FMB16N60E

更新时间： 2024-03-03 10:10:24

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富士电机 - FUJI		/
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FMB16N60E 数据手册

FUJI POWER MOSFET

FMI16N60E

Safe Operating Area

=f(VDS):Duty=0(Single pulse),Tc=25°C

Allowable Power Dissipation

PD=f(Tc)

10²

10¹

10⁰

10^-1

10^-2

400

300

200

100

1µs

10µs

100µs

1ms

Power loss waveform :

Square waveform

P_D

D.C.

10³

Tc [ C]

100

125

150

10^-1

10⁰

10¹

10²

VDS [V]

Typical Output Characteristics

ID=f(VDS):80 µs pulse test,Tch=25°C

Typical Transfer Characteristic

ID=f(VGS):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C

100

0.1

VDS [V]

VGS[V]

Typical Drain-Source on-state Resistance

RDS(on)=f(ID):80 µs pulse test,Tch=25°C

Typical Transconductance

gfs=f(ID):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

100

VGS=4.5V

5.5V

10V

0.1

100

ID [A]

123 4 5

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