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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> FM307B-W
FM307B-W PDF预览

FM307B-W

更新时间： 2024-11-11 13:07:47
品牌 Logo 应用领域
RECTRON /
页数 文件大小 规格书
2页 26K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AA,

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FM307B-W 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.61
其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT, METALLURGICALLY BONDED应用：GENERAL PURPOSE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-214AA
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：265认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1000 V表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

FM307B-W 数据手册

 浏览型号FM307B-W的Datasheet PDF文件第2页 
FM301  
THRU  
RECTRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL SPECIFICATION  
FM307  
SURFACE MOUNT  
GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 3.0 Amperes  
FEATURES  
* Glass passivated device  
* Ideal for surface mounted applications  
* Low leakage current  
* Metallurgically bonded construction  
* Mounting position: Any  
* Weight: 0.24 gram  
DO-214AB  
MECHANICAL DATA  
* Epoxy : Device has UL flammability classification 94V-0  
(
)
0.125 3.17  
(
)
)
0.245 6.22  
(
)
0.115 2.92  
(
0.220 5.59  
(
)
0.280 7.11  
(
)
0.260 6.60  
(
)
0.012 0.305  
(
)
0.006 0.152  
(
)
)
0.103 2.62  
(
0.079 2.06  
(
)
0.060 1.52  
(
)
)
0.008 0.203  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
(
)
0.030 0.76  
(
0.004 0.102  
(
)
)
0.320 8.13  
(
0.305 7.75  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
RATINGS  
SYMBOL  
FM301 FM302 FM303 FM304 FM305 FM306 FM307 UNITS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
V
V
RRM  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
3.0  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
Volts  
Volts  
Volts  
Amps  
RMS  
Maximum DC Blocking Voltage  
V
DC  
O
100  
1000  
Maximum Average Forward Rectified Current T  
A
= 75oC  
I
Peak Forward Surge Current IFM(surge): 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
150  
Amps  
(Note 2) RθJL  
(Note 3) RθJA  
10  
0C/W  
0C/W  
pF  
Typical Thermal Resistance  
35  
60  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
CJ  
T
J
, TSTG  
-65 to + 175  
0 C  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At T  
CHARACTERISTICS  
Maximum Forward Voltage at 3.0A DC  
Maximum Full Load Reverse Current,  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
SYMBOL  
FM301 FM302 FM303 FM304 FM305 FM306 FM307 UNITS  
V
F
1.1  
30  
Volts  
uAmps  
o
Full cycle Average at TA= 75 C  
I
R
@T  
@T  
A
A
= 25oC  
= 125oC  
uAmps  
uAmps  
5.0  
Maximum DC Average Reverse Current at  
Rated DC Blocking Voltage  
150  
NOTES : 1. Measured at 1.0 MHz and applied average voltage of 4.0VDC  
1998-8  
2. Thermal resistance junction to terminal, 10.0X10.0mm2 copper pads to each terminal.  
3. Thermal resistance junction to ambient, 10.0X10.0mm2 copper pads to each terminal.  
12

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与FM307B-W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FM307L RECTRON

获取价格

 		SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 3.
FM307L-TH WILLAS

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AB, HALOGEN FREE AND
FM307P RECTRON

获取价格

 		Reverse Voltage Vr : 1000 V;Forward Current Io : 3.0 A;Max Surge Current : 150 A;Forward V
FM307-W RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AB, PLASTIC PACKAGE-
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