| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.81 |
| 配置： | SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PUFM-X7 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 7 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 90 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FM30DY-9 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 450V, 0.3ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| FM30E2Y-10 | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FM30E2Y-9 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 450V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FM30J501M | HITACHI |
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Three Phase EMI Filter, 250V, 50HzHz, |
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| FM30K252MB | HITACHI |
获取价格 |
Three Phase EMI Filter, 250V, 50HzHz, |
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| FM30K252MBPF | HITACHI |
获取价格 |
Three Phase EMI Filter, 250V, 50/60HzHz, |
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| FM30K252MCB | HITACHI |
获取价格 |
Three Phase EMI Filter, 250V, 50HzHz, |
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| FM30O232M | HITACHI |
获取价格 |
Three Phase EMI Filter, 250V, 50HzHz, |
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| FM30O232MB | HITACHI |
获取价格 |
Three Phase EMI Filter, 250V, 50HzHz, |
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| FM30O232MBPF | HITACHI |
获取价格 |
Three Phase EMI Filter, 250V, 50/60HzHz, |
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