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FM30E2Y-9 PDF预览

FM30E2Y-9

更新时间: 2024-11-11 20:40:03
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 218K
描述
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 450V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

FM30E2Y-9 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压:450 V最大漏极电流 (ID):30 A
最大漏源导通电阻:0.19 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PUFM-X5元件数量:1
端子数量:5工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

FM30E2Y-9 数据手册

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