FM25VN05-GTR

更新时间： 2024-01-25 14:10:57

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铁电 - RAMTRON		存储
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16页	334K
描述
512Kb Serial 3V F-RAM Memory

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FM25VN05-GTR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP,
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.82
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
长度：	4.9 mm	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	3.9 mm

FM25VN05-GTR 数据手册

FM25V05 - 512Kb SPI FRAM

Instruction Decode

Clock Generator

Control Logic

HOLD

Write Protect

8192 x 64

FRAM Array

Instruction Register

Address Register

Counter

Data I/O Register

Nonvolatile Status

Figure 1. Block Diagram

Pin Descriptions

Pin Name

I/O

Description

Input

Chip Select: This active-low input activates the device. When high, the device enters

low-power standby mode, ignores other inputs, and all outputs are tri-stated. When

low, the device internally activates the C signal. A falling edge on /S must occur prior

to every op-code.

Input

Serial Clock: All I/O activity is synchronized to the serial clock. Inputs are latched on

the rising edge and outputs occur on the falling edge. Since the device is static, the

clock frequency may be any value between 0 and 40 MHz and may be interrupted at

any time.

/HOLD

Hold: The /HOLD pin is used when the host CPU must interrupt a memory operation

for another task. When /HOLD is low, the current operation is suspended. The device

ignores any transition on C or /S. All transitions on /HOLD must occur while C is low.

This pin has a weak internal pull-up (see R_INspec, pg 11). However, if it is not used,

the /HOLD pin should be tied to V_DD

Input

Write Protect: This active-low pin prevents write operations to the Status Register

only. A complete explanation of write protection is provided on pages 6 and 7. If not

used, the /W pin should be tied to V_DD

Serial Input: All data is input to the device on this pin. The pin is sampled on the

rising edge of C and is ignored at other times. It should always be driven to a valid

logic level to meet I_DDspecifications.

* D may be connected to Q for a single pin data interface.

Serial Output: This is the data output pin. It is driven during a read and remains tri-

stated at all other times including when /HOLD is low. Data transitions are driven on

the falling edge of the serial clock.

Output

* Q may be connected to D for a single pin data interface.

Power Supply

Ground

VDD

VSS

Supply

Rev. 2.0

May 2010

Page 2 of 16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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FM25VN10-G	RAMTRON	获取价格	1Mb Serial 3V F-RAM Memory
FM25VN10-G	INFINEON	获取价格	铁电存储器 (F-RAM)
FM25VN10-GTR	CYPRESS	获取价格	1Mb Serial 3V F-RAM Memory
FM25VN10-GTR	RAMTRON	获取价格	1Mb Serial 3V F-RAM Memory
FM25VN10-GTR	INFINEON	获取价格	铁电存储器 (F-RAM)
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FM25W02	FM	获取价格	SPI NOR Flash
FM25W04	FM	获取价格	SPI NOR Flash
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