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FLM6472-12F

更新时间： 2024-10-28 21:54:15
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描述
C-Band internally Matched FET

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FLM6472-12F 数据手册

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FLM6472-12F  
C-Band Internally Matched FET  
FEATURES  
• High Output Power: P  
= 41.5dBm (Typ.)  
1dB  
• High Gain: G  
= 9.5dB (Typ.)  
1dB  
= 37% (Typ.)  
• High PAE: η  
• Low IM = -46dBc@Po = 30.5dBm  
add  
3
• Broad Band: 6.4 ~ 7.2GHz  
• Impedance Matched Zin/Zout = 50Ω  
• Hermetically Sealed Package  
DESCRIPTION  
The FLM6472-12F is a power GaAs FET that is internally matched for  
standard communication bands to provide optimum power and gain in a  
50 ohm system.  
Eudyna’s stringent Quality Assurance Program assures the highest  
reliability and consistent performance.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Item  
Symbol  
Condition  
Unit  
Rating  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
15  
-5  
V
V
DS  
GS  
T = 25°C  
c
Total Power Dissipation  
Storage Temperature  
Channel Temperature  
P
57.6  
-65 to +175  
175  
W
°C  
°C  
T
T
stg  
T
ch  
Fujitsu recommends the following conditions for the reliable operation of GaAs FETs:  
1. The drain-source operating voltage (V ) should not exceed 10 volts.  
DS  
2. The forward and reverse gate currents should not exceed 32.0 and -5.6 mA respectively with  
gate resistance of 50Ω.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Limit  
Typ.  
Item  
Symbol  
Test Conditions  
Unit  
Min.  
Max.  
V
V
V
I
= 5V, V  
= 0V  
GS  
Saturated Drain Current  
Transconductance  
I
-
5000 7500  
mA  
DS  
DS  
DS  
DSS  
g
m
-
= 5V, I  
= 3250mA  
= 250mA  
-
5000  
mS  
V
DS  
Pinch-off Voltage  
V
p
= 5V, I  
DS  
-0.5  
-5.0  
-1.5 -3.0  
Gate Source Breakdown Voltage  
Output Power at 1dB G.C.P.  
Power Gain at 1dB G.C.P.  
Drain Current  
V
-
-
V
= -250µA  
GSO  
GS  
P
1dB  
40.5 41.5  
-
-
dBm  
dB  
V
=10V,  
G
8.5  
9.5  
DS  
1dB  
I
= 0.65 I  
DS  
DSS (Typ.),  
I
-
-
-
3250 3800  
mA  
%
dsr  
f = 6.4 ~ 7.2 GHz,  
η
Power-added Efficiency  
add  
37  
-
-
Z =Z = 50 ohm  
S
L
Gain Flatness  
∆G  
0.6  
dB  
f = 7.2 GHz, ∆f = 10 MHz  
3rd Order Intermodulation  
Distortion  
2-Tone Test  
IM  
3
-44  
-46  
-
dBc  
P
= 30.5dBm S.C.L.  
out  
R
Thermal Resistance  
Channel Temperature Rise  
CASE STYLE: IK  
Channel to Case  
-
-
2.3  
-
2.6  
80  
°C/W  
°C  
th  
∆T  
10V x I  
x R  
th  
ch  
dsr  
G.C.P.: Gain Compression Point, S.C.L.: Single Carrier Level  
Edition 1.2  
August 2004  
1
1234

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