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FLM5964-45F

更新时间： 2024-01-07 02:31:48

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描述
C-Band Internally Matched FET

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FLM5964-45F 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.27
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	10 V
最大漏极电流 (ID)：	13 A	FET 技术：	JUNCTION
最高频带：	C BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

FLM5964-45F 数据手册

FLM5964-45F

C-Band Internally Matched FET

FEATURES

・High Output Power: P1dB=47.0dBm(Typ.)

・High Gain: G1dB=8.5dB(Typ.)

・High PAE: ηadd=39%(Typ.)

・Broad Band: 5.9~6.4GHz

・Impedance Matched Zin/Zout = 50Ω

・Hermetically Sealed Package

DESCRIPTION

The FLM5964-45F is a power GaAs FET that is internally matched

for standard communication bands to provide optimum power and

gain in a 50Ω system.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Case Temperature Tc=25^o

Symbol

Rating

Unit

^oC

Item

V_DS

V_GS

P_T

T_stg

T_ch

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Total Power Dissipation

Storage Temperature

Channel Temperature

-5

115

-65 to +175

175

RECOMMENDED OPERATING CONDITION(Case Temperature Tc=25^oC)

Item

Symbol

Condition

Limit

≤

Unit

V_DS

I_GF

I_GR

DC Input Voltage

Forward Gate Current

Reverse Gate Current

RG=10

108

Ω

RG=10

≤

-23.2

Ω

≥

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Case Temperature Tc=25^oC)

Limit

Typ.

-1.5

47.0

8.5

Item

Symbol

Condition

Unit

Min.

-0.5

-5.0

46.0

7.5

Max.

I_DSS

g_m

VDS=5V, VGS=0V

VDS=5V, IDS=8.0A

VDS=5V, IDS=480mA

IGS=-480uA

dBm

Drain Current

-3.0

1.2

Transconductance

V_p

Pinch-off Voltage

V_GSO

Gate-Source Breakdown Voltage

Output Power at 1dB G.C.P.

Power Gain at 1dB G.C.P.

Drain Current

VDS=10V

1d B

G_{1d B}

I_dsr

f=5.9 - 6.4 GHz

IDS(DC)=8.0A(typ.)

add

Zs=ZL=50

Power-added Efficiency

Gain Flatness

Ω

∆

f=6.4 GHz

3rd Order Intermodulation

Distortion

IM₃

f=10MHz, 2-tone Test

-37

-40

dBc

∆

Pout=35.5dBm(S.C.L.)

Channel to Case

1.1

1.3

100

^oC/W

^oC

Thermal Resistance

Channel Temperature Rise

T_ch

10V x IDS(DC) X R

∆

G.C.P.:Gain Compression Point

CASE STYLE : IK

ESD

Class III

2000V

ꢀ

Note : Based on EIAJ ED-4701 C-111A(C=100pF, R=1.5k )

Ω

Edition 1.3

September 2004

12 3 4 5

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