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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.61 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 15 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.9 A |
| FET 技术： | JUNCTION | 最高频带： | X BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FLM1011-20F | EUDYNA |
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X,Ku-Band Internally Matched FET |
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| FLM1011-3F | EUDYNA |
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X, Ku-Band Internally Matched FET |
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| FLM1011-4D | FUJITSU |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| FLM1011-4F | EUDYNA |
获取价格 |
X, Ku-Band Internally Matched FET |
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| FLM1011-6F | EUDYNA |
获取价格 |
X, Ku-Band Internally Matched FET |
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| FLM1011-8C | FUJITSU |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| FLM1011-8F | EUDYNA |
获取价格 |
X, Ku-Band Internally Matched FET |
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| FLM-10-K | MSYSTEM |
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Space-saving Plug-in Signal Conditioners F-UNIT |
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| FLM-10-K/Q | MSYSTEM |
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Space-saving Plug-in Signal Conditioners F-UNIT |
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| FLM-10-L | MSYSTEM |
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Space-saving Plug-in Signal Conditioners F-UNIT |
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