FKV460S

更新时间： 2024-11-29 06:59:23

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MOS FET

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FKV460S 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220S
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.38
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (ID)：	60 A	最大漏源导通电阻：	0.009 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	180 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FKV460S 数据手册

MOS FET FKV460S

External Dimensions TO220S

Absolute Maximum Ratings

Electrical Characteristics

(Ta =25ºC)

Symbol

Ratings

Unit

Ratings

typ

Symbol

Test Conditions

Unit

min

max

DSS

4.44^±0.2

I = 100µA, V

D GS

10.2^±0.3

GSS

+20, –10

±60

(BR) DSS

1.3^±0.2

V_GS= +20V

+10

–5

µA

GSS

±180

_GS= –10V

40V,

10V,

D (pulse)

µA

100

2.3

60 (Tc =25ºC)

150

ºC

DSS

1.6

I =

250µA

1.3

+0.2

0.1

Tstg

10V,

I =

25A

20.0

–55 to +150

e (yfs)

–0.1

I =

2800

1400

600

mΩ

DS (ON)

P_W100µs, duty 1%

1.27^±0.2

Ciss

Coss

Crss

10V

1.0MHz

+0.2

0.4^±0.1

–0.1

0.86

1.2^±0.2

2.54^±0.5

d (on)

25A

12V

0.48Ω

600

250

100

1.0

d (off)

a) Part No.

b) Lot No.

10V

(Unit : mm)

50A,

1.5

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