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FK16UM-5J69Z

更新时间： 2024-10-28 21:20:47

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	54K
描述
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 250V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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FK16UM-5J69Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (ID)：	16 A	最大漏源导通电阻：	0.31 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FK16UM-5J69Z 数据手册

MITSUBISHI Nch POWER MOSFET

FK16UM-5

HIGH-SPEED SWITCHING USE

FK16UM-5

OUTLINE DRAWING

Dimensions in mm

4.5

1.3

10.5MAX.

φ 3.6

1.0

0.8

2.54

0.5

2.6

w e

w r

q GATE

w DRAIN

e SOURCE

r DRAIN

¡VDSS ................................................................................250V

¡rDS (ON) (MAX) .............................................................. 0.31Ω

¡ID ......................................................................................... 16A

¡Integrated Fast Recovery Diode (MAX.) ........150ns

TO-220

APPLICATION

Servo motor drive, Robot, UPS, Inverter Fluorecent

lamp, etc.

MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)

Symbol

VDSS

VGSS

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current

Conditions

Ratings

Unit

VGS = 0V

VDS = 0V

250

±30

IDM

Drain current (Pulsed)

Source current

ISM

Source current (Pulsed)

Maximum power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Weight

125

°C

Tch

–55 ~ +150

2.0

Tstg

—

Typical value

Feb.1999

12 3 4 5

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与FK16UM-5J69Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FK16UM6	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 300V V(BR)DSS \| 16A I(D) \| TO-220AB
FK16UM-6	MITSUBISHI	获取价格	HIGH-SPEED SWITCHING USE
FK16UM-6	POWEREX	获取价格	Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FK16UM-6	RENESAS	获取价格	MITSUBISHI Nch POWER MOSFET
FK16VS5	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 250V V(BR)DSS \| 16A I(D) \| TO-263AB
FK16VS-5	POWEREX	获取价格	Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE
FK16VS-5-T1	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 250V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FK16VS-5-T2	MITSUBISHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 250V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FK16VS6	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 300V V(BR)DSS \| 16A I(D) \| TO-263AB
FK16VS-6	MITSUBISHI	获取价格	HIGH-SPEED SWITCHING USE